4月9日，应材料科学与工程学院和湖北大学先进宽禁带半导体材料与器件研究中心邀请，山东大学讲席教授陶绪堂、江南大学敖金平教授来校访问讲学。
陶绪堂教授为师生作了题为“多维度晶体材料研究”的学术报告，阐述了我国超宽禁带半导体单晶、有机-无机复合钙钛矿晶体、非线性光学晶体、单晶光纤等研究历程、主要进展及其团队的重要创新成果，着重分享了其团队在“导模法”生长β-Ga2O3单晶研究方面的进展。会后师生们踊跃提问，陶绪堂教授耐心解答，大家讨论积极热烈。
敖金平教授为师生作了题为“氮化镓射频功率器件的研究与应用”学术报告，介绍了氮化镓材料及器件的研究发展历程，重点阐述了其团队在氮化镓射频功率器件研制及其在低功率微波无线能量传输应用方面的重要进展和创新成果。交流环节，师生们踊跃提问，敖金平教授逐一进行了耐心细致的解答。
报告会后，陶绪堂教授、敖金平教授参观了湖北省先进光电转换与光电催化材料国际科技合作基地、湖北大学先进宽禁带半导体材料与器件研究中心，就未来合作事宜进行了探讨。
陶绪堂，现任山东大学讲席教授，入选国家高层次人才计划，作为学术带头人获国家自然科学基金委创新研究群体基金资助。曾任山东大学晶体材料研究所所长、晶体材料国家重点实验室主任，兼任教育部科学技术委员会交叉学部委员等。
敖金平，现任江南大学教授、博士生导师，国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员，入选国家高层次人才计划。牵头完成国家重点研发计划项目，发表论文300多篇，拥有30多项发明专利。获电子工业部科技进步奖三等奖、陕西省科学技术奖一等奖等奖项。
（审稿：陈亮）
